在电磁线圈驱动中采用的大功率开关有三电极间隙开关、真空触发开关和半导体可控硅开关。大功率可控硅半导体器件,具有使用寿命长、电压高、电流大、环境适应性强、操作无噪声、工作可靠性高、开关速度快、使用维护简单、控制灵敏、高效率、小型化等优点。因此在高功率脉冲技术方面得到了广泛的应用。大功率短路开关在脉冲功率技术中有着极其重要的作用,不仅在电容储能的脉冲成形网络中被广泛地应用,而且在其它的储能高功率脉冲电源中也被广泛地采用。脉冲功率技术对短路开关的要求是:希望开关结构紧凑,开关电感小;开关击穿时延短而且分散性小;工作性能稳定而且寿命长;工作噪。
脉冲变压器一般是用在开关电源里的,他的作用其实和普通变压器是一样的,都是给交流电变压,不同的是普通变压器变压的是正弦波而脉冲变压器变压的是有一定或可调占空比的方波(可以理解为脉冲信号),目前常用的的pwm信号即脉宽调制信号。
具有使用寿命长、电压高、电流大、环境适应性强、操作无噪声、工作可靠性高、开关速度快、使用维护简单、控制灵敏、高效率、小型化等优点;脉冲功率技术对短路开关的要求是:希望开关结构紧凑,开关电感小;开关击穿时延短而且分散性小;工作性能稳定而且寿命长。
可控硅触发需要一定的能量,而能量是与时间有关的。而且可控硅导通也需要一定的时间,如果在导通之前脉冲就没了,也不能稳定触发。因此如果脉冲宽度太窄就不可靠,建议使用较宽的脉冲。 120us是过于窄了。
可控硅触发,如果不在电压等于0畅定扳剐殖溉帮税爆粳处才导通,则输出电压会有一个突变,引起谐波污染电网,所以较大功率的可控硅设备都只允许在电压过零时被触发。所以相应的电路中会设计一个电源电压过零的检测电路,在电源电压过零时,才向可控硅发出触发信号,让可控硅导通。
可控硅触发电路的形式很多,常用的有阻容移相桥触发电路、单结晶体管触发电路、晶体三极管触发电路、利用小可控硅触发大可控硅的触发电路,等等。今天大家制作的可控硅调压器,多采用的是单结晶体管触发电路。
可控硅在实际应用中电路花样最多的是其栅极触发回路,概括起来有直流触发电路,交流触发电路,相位触发电路等等。
1、直流触发电路:如图g2是一个电视机常用的过压保护电路,当e+电压过高时a点电压也变高,当它高于稳压管dz的稳压值时dz道通,可控硅d受触发而道通将e+短路,使保险丝rj熔断,从而起到过压保护的作用。
2、相位触发电路:相位触发电路实际上是交流触发电路的一种,如图g3,这个电路的方法是利用rc回路控制触发信号的相位。当r值较少时,rc时间常数较少,触发信号的相移a1较少,因此负载获得较大的电功率;当r值较大时,rc时间常数较大,触发信号的相移a2较大,因此负载获得较少的电功率。这个典型的电功率无级调整电路在日常生活中有很多电气产品中都应用它。
双向触发,二极管亦称二端交流器件(diac),与双向晶闸管同时间世.由于它结构简单、价格低廉,所以常用来触发双向晶闸管,还可构成过压保护等电路。双向触发二极管的构造。符号及等效电路如下图所示。
它属于三层构造、具有对称性的二端半导体器件,可等效于基极开路、发射极与集电极对称的npn晶体管。其正、反向伏安特性完全对称,见图2。当器件两端的电压v小于正向转折电压v(so)时,呈高阻态,当(bo),时进入负阻区。同样,当v超过反向转折电压v(br)时,管子也能进入负阻区。
双向触发二极管的耐压值(v)大致分3个等级:
20—60v,100-150v,200-250v。
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