这是两种描述晶圆规格及工艺水平的数据,几寸指的晶圆大小(直径),几纳米指的晶体管之间的距离,晶圆直径越大,且晶体管之间的距离越小,那么单片晶圆上集成的晶粒(芯片)数也越多,也就是集成度越高,所以尺寸越做越大,间距(纳米)越做越小,技术也越来越复杂。
硅是由石英砂所精练出来的,晶圆便是硅元素加以纯化(99.999%)。
扩展资料:
注意事项:
1、由于晶圆生产工艺中,其表面会形成薄膜,这需要光刻技术将它去掉。在晶圆制造过程中,晶体、电容、电阻等在晶圆表面或表层内构成,这些部件是每次在一个掩膜层上生成的,并且结合生成薄膜及去除特定部分,通过光刻工艺过程,最终在晶圆上保留特征图形的部分。
2、光刻确定了器件的关键尺寸,光刻过程中的错误可造成图形歪曲或套准不好,最终可转化为对器件的电特性产生影响。
3、高纯度的多晶硅放在石英坩埚中,并用外面围绕着的石墨加热器不断加热,温度维持在大约一千多摄氏度,炉中的空气通常是惰性气体,使多晶硅熔化,同时又不会产生不需要的化学反应。
参考资料来源:百科-晶圆
参考资料来源:百科-晶圆工艺
参考资料来源:百科-纳米
参考资料来源:百科-晶体管
参考资料来源:百科-硅
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