掺锡氧化铟的制备方法有哪些

-阿喵酱- 2024-11-15 23:50:58
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**稀有金属网:
1、低电压溅射制备掺锡氧化铟薄膜
由于掺锡氧化铟薄膜本身含有氧元素,磁控溅射制备掺锡氧化铟薄膜的过程中,会产生大量的氧负离子,氧负离子在电场的作用下以一定的粒子能量会轰击到所沉积的ito薄膜表面,使掺锡氧化铟薄膜的结晶结构和晶体状态造成结构缺陷。溅射的电压越大,氧负离子轰击膜层表面的能量也越大,那么造成这种结构缺陷的几率就越大,产生晶体结构缺陷也越严重,从而导致了掺锡氧化铟薄膜的电阻率上升,一般情况下,磁控溅射沉积掺锡氧化铟薄膜时的溅射电压在-400v左右,如果使用一定的工艺方法将溅射电压降到-200v以下,那么所沉积的掺锡氧化铟薄膜电阻率将降低50%以上,这样不仅提高了掺锡氧化铟薄膜的产品质量,同时也降低了产品的生产成本。2、两种在直流磁控溅射制备掺锡氧化铟薄膜时,降低薄膜溅射电压的有效途径:
a、磁场强度对溅射电压的影响
当磁场强度为300g时,溅射电压约为-350v;但当磁场强度升高到1000g时,溅射电压下降至-250v左右。一般情况下,磁场强度越高、溅射电压越低,但磁场强度为1000g以上时,磁场强度对溅射电压的影响就不明显了。因此为了降低掺锡氧化铟薄膜的溅射电压,可以通过合理的增强溅射阴极的磁场强度来实现。b、rf+dc电源使用对溅射电压的影响
为了有效的降低磁控溅射的电压,以达到降低ito薄膜电阻率的目的,可以采用了一套特殊的溅射阴极结构和溅射直流电源,同时将一套3kw的射频电源合理的匹配叠装在一套6kw的直流电源上,在不同的直流溅射功率和射频功率下进行降低ito薄膜溅射电压的工艺研究。当磁场强度为1000g,直流电源的功率为1200w时,通过改变射频电源的功率,经大量的工艺实验得出:“当射频功率为600w时,ito靶的溅射电压可以降到-110v”的结论。因此,rf+dc新型电源的应用和特殊溅射阴极结构的设计也能有效的降低ito薄膜的溅射电压,从而达到降低薄膜电阻率的目的。3、降低掺锡氧化铟薄膜电阻率的新沉积方法-hdap法
法是利用高密度的电弧等离子体(hdap)放电轰击ito靶材,使ito材料蒸发,沉积到基体材料上形成ito薄膜。由于高能量电弧离子的作用导致ito粒子中的in、sn达到完全离化,从而增强沉积时的反应活性,达到减少晶体结构缺陷,降低电阻率的目的。展开 20210311
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