nand flash和nor flash的区别

2024-05-24 14:03:43
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(1)闪存芯片读写的基本单位不同应用程序对norflash芯片操作以“字”为基本单位.为了方便对大容量norflash闪存的管理,通常将nor闪存分成大小为128kb或64kb的逻辑块,有时块内还分扇区.读写时需要同时指定逻辑块号和块内偏移.应用程序对nandflash芯片操作是以“块”为基本单位.nand闪存的块比较小,一般是8kb,然后每块又分成页,页大小一般是512字节.要修改nandflash芯片中一个字节,必须重写整个数据块.(2)norflash闪存是随机存储介质,用于数据量较小的场合;nandflash闪存是连续存储介质,适合存放大的数据.(3)由于norflash地址线和数据线分开,所以norflash芯片可以像sdram一样连在数据线上.nor芯片的使用类似于通常内存芯片,传输效率高,可执行程序可以在芯片内执行(xi p, execute in place),这样应用程序可以直接在flash闪存内运行,不必再把代码读到系统ram中.由于norflash的这个特点,嵌入式系统中经常将nor芯片做启动芯片使用.nandflash共用地址和数据总线,需要额外联结一些控制的输入输出,所以直接将nand芯片做启动芯片比较难. 20210311
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