怎么区分nor flash 与nand flash芯片

Echo 2024-06-03 09:14:55
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具体的方法:  看datasheet  nor flash上数据线和地址线是分开的  nand flash上数据线和地址线是共用的  nor flash/nand flash 是现在市场上两种主要的非易失闪存技术。intel于1988年首先开发出nor flash 技术,彻底改变了原先由eprom和eeprom一统天下的局面。紧接着,1989年,东芝公司发表了nand flash 结构,强调降低每比特的成本,有更高的性能,并且像磁盘一样可以通过接口轻松升级。nor flash 的特点是芯片内执行(xip ,execute in place),这样应用程序可以直接在flash闪存内运行,不必再把代码读到系统ram中。nor 的传输效率很高,在1~4mb的小容量时具有很高的成本效益,但是很低的写入和擦除速度大大影响到它的性能。nand的结构能提供极高的单元密度,可以达到高存储密度,并且写入和擦除的速度也很快。应用nand的困难在于flash的管理和需要特殊的系统接口。通常nor的速度比nand稍快一些,而nand的写入速度比nor快很多,在设计中应该考虑这些情况。闪存只是用来存储少量的代码,这时nor闪存更适合一些。而nand则是高数据存储密度的理想解决方案。  nor/nand flash 性能比较  flash闪存是非易失存储器,可以对称为块的存储器单元块进行擦写和再编程。任何flash器件的写入操作只能在空或已擦除的单元内进行,所以大多数情况下,在进行写入操作之前必须先执行擦除。nand器件执行擦除操作是十分简单的,而nor则要求在进行擦除前先要将目标块内所有的位都写为0。  由于擦除nor器件时是以64~128kb的块进行的,执行一个写入/擦除操作的时间为5s,与此相反,擦除nand器件是以8~32kb的块进行的,执行相同的操作最多只需要4ms。  执行擦除时块尺寸的不同进一步拉大了nor和nadn之间的性能差距,统计表明,对于给定的一套写入操作(尤其是更新小文件时),更多的擦除操作必须在基于nor的单元中进行。这样,当选择存储解决方案时,设计师必须权衡以下的各项因素。  l nor的读速度比nand稍快一些。  2 nand的写入速度比nor快很多。  3 nand的4ms擦除速度远比nor的5s快。  4 大多数写入操作需要先进行擦除操作。  5 nand的擦除单元更小,相应的擦除电路更少。  接口差别  nor flash带有sram接口,有足够的地址引脚来寻址,可以很容易地存取其内部的每一个字节。  nand器件使用复杂的i/o口来串行地存取数据,各个产品或厂商的方法可能各不相同。8个引脚用来传送控制、地址和数据信息。  nand读和写操作采用512字节的块,这一点有点像硬盘管理此类操作,很自然地,基于nand的存储器就可以取代硬盘或其他块设备。  易于使用  可以非常直接地使用基于nor的闪存,可以像其他存储器那样连接,并可以在上面直接运行代码。  由于需要i/o接口,nand要复杂得多。各种nand器件的存取方法因厂家而异。  在使用nand器件时,必须先写入驱动程序,才能继续执行其他操作。向nand器件写入信息需要相当的技巧,因为设计师绝不能向坏块写入,这就意味着在nand器件上自始至终都必须进行虚拟映射。  软件支持  当讨论软件支持的时候,应该区别基本的读/写/擦操作和高一级的用于磁盘**和闪存管理算法的软件,包括性能优化。  在nor器件上运行代码不需要任何的软件支持,在nand器件上进行同样操作时,通常需要驱动程序,也就是内存技术驱动程序(mtd),nand和nor器件在进行写入和擦除操作时都需要mtd。  使用nor器件时所需要的mtd要相对少一些,许多厂商都提供用于nor器件的更高级软件,这其中包括m-system的trueffs驱动,该驱动被wind river system、microsoft、qnx software system、symbian和intel等厂商所采用。 20210311
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