二极管生产工序以及危害性

肖特基二极管 基本原理是：在金属（例如铅）和半导体（n型硅片）的接触面上，用已形成的肖特基来阻挡反向电压。肖特基与pn结的整流作用原理有根本性的差异。其耐压程度只有40v左右。其特长是：开关速度非常快：反向恢复时间trr特别地短。因此，能制作开关二极和低压大电流整流二极管。编辑本段根据用途分类 1、检波用二极管 就原理而言，从输入信号中取出调制信号是检波，以整流电流的大小（100ma）作为界线通常把输出电流小于100ma的叫检波。锗材料点接触型、工作频率可达400mhz，正向压降小，结电容小，检波效率高，频率特性好，为2ap型。类似点触型那样检波用的二极管，除用于检波外，还能够用于限幅、削波、调制、混频、开关等电路。也有为调频检波专用的特性一致性好的两只二极管组合件。 2、整流用二极管 就原理而言，从输入交流中得到输出的直流是整流。以整流电流的大小（100ma）作为界线通常把输出电流大于100ma的叫整流。面结型，工作频率小于khz，最高反向电压从25伏至3000伏分a～x共22档。分类如下：①硅半导体整流二极管2cz型、②硅桥式整流器ql型、③用于电视机高压硅堆工作频率近100khz的2clg型。 内部结构3、限幅用二极管 大多数二极管能作为限幅使用。也有象保护仪表用和高频齐纳管那样的专用限幅二极管。为了使这些二极管具有特别强的限制尖锐振幅的作用，通常使用硅材料制造的二极管。也有这样的组件出售：依据限制电压需要，把若干个必要的整流二极管串联起来形成一个整体。 4、调制用二极管 通常指的是环形调制专用的二极管。就是正向特性一致性好的四个二极管的组合件。即使其它变容二极管也有调制用途，但它们通常是直接作为调频用。 5、混频用二极管 使用二极管混频方式时，在500～10,000hz的频率范围内，多采用肖特基型和点接触型二极管。 6、放大用二极管 用二极管放大，大致有依靠隧道二极管和体效应二极管那样的负阻**件的放大，以及用变容二极管的参量放大。因此，放大用二极管通常是指隧道二极管、体效应二极管和变容二极管。 7、开关用二极管 有在小电流下（10ma程度）使用的逻辑运算和在数百毫安下使用的磁芯激励用开关二极管。小电流的开关二极管通常有点接触型和键型等二极管，也有在高温下还可能工作的硅扩散型、台面型和平面型二极管。开关二极管的特长是开关速度快。而肖特基型二极管的开关时间特短，因而是理想的开关二极管。2ak型点接触为中速开关电路用；2ck型平面接触为高速开关电路用；用于开关、限幅、钳位或检波等电路；肖特基（**d）硅大电流开关，正向压降小，速度快、效率高。 8、变容二极管 用于自动频率控制（afc）和调谐用的小功率二极管称变容二极管。日本厂商方面也有其它许多叫法。通过施加反向电压， 使其pn结的静电容量发生变化。因此，被使用于自动频率控制、扫描振荡、调频和调谐等用途。通常，虽然是采用硅的扩散型二极管，但是也可采用合金扩散型、外延结合型、双重扩散型等特殊制作的二极管，因为这些二极管对于电压而言，其静电容量的变化率特别大。结电容随反向电压vr变化，取代可变电容，用作调谐回路、振荡电路、锁相环路，常用于电视机高频头的频道转换和调谐电路，多以硅材料制作。 9、频率倍增用二极管 对二极管的频率倍增作用而言，有依靠变容二极管的频率倍增和依靠阶跃（即急变）二极管的频率倍增。频率倍增用的变容二极管称为可变电抗器，可变电抗器虽然和自动频率控制用的变容二极管的工作原理相同，但电抗器的构造却能承受大功率。阶跃二极管又被称为阶跃恢复二极管，从导通切换到关闭时的反向恢复时间trr短，因此，其特长是急速地变成关闭的转移时间显著地短。如果对阶跃二极管施加正弦波，那么，因tt（转移时间）短，所以输出波形急骤地被夹断，故能产生很多高频谐波。 10、稳压二极管 是代替稳压电子二极管的产品。被制作成为硅的扩散型或合金型。是反向击穿特性曲线急骤变化的二极管。作为控制电压和标准电压使用而制作的。二极管工作时的端电压（又称齐纳电压）从3v左右到150v，按每隔10%，能划分成许多等级。在功率方面，也有从200mw至100w以上的产品。工作在反向击穿状态，硅材料制作，动态电阻rz很小，一般为2cw型；将两个互补二极管反向串接以减少温度系数则为2dw型。 11、pin型二极管（pin diode） 这是在p区和n区之间夹一层本征半导体（或低浓度杂质的半导体）构造的晶体二极管。pin中的i是"本征"意义的英文略语。当其工作频率超过100mhz时，由于少数载流子的存贮效应和"本征"层中的渡越时间效应，其二极管失去整流作用而变成阻抗元件，并且，其阻抗值随偏置电压而改变。在零偏置或直流反向偏置时，"本征"区的阻抗很高；在直流正向偏置时，由于载流子注入"本征"区，而使"本征"区呈现出低阻抗状态。因此，可以把pin二极管作为可变阻抗元件使用。它常被应用于高频开关（即微波开关）、移相、调制、限幅等电路中。 12、 雪崩二极管 (**alanche diode) 它是在外加电压作用下可以产生高频振荡的晶体管。产生高频振荡的工作原理是栾的：利用雪崩击穿对晶体注入载流子，因载流子渡越晶片需要一定的时间，所以其电流滞后于电压，出现延迟时间，若适当地控制渡越时间，那么，在电流和电压关系上就会出现负阻效应，从而产生高频振荡。它常被应用于微波领域的振荡电路中。 13、江崎二极管 （tunnel diode） 它是以隧道效应电流为主要电流分量的晶体二极管。其基底材料是**和锗。其p型区的n型区是高掺杂的（即高浓度杂质的）。隧道电流由这些简并态半导体的量子力学效应所产生。发生隧道效应具备如下三个条件：①费米能级位于导带和满带内；②空间电荷层宽度必须很窄（0.01微米以下）；简并半导体p型区和n型区中的空穴和电子在同一能级上有交叠的可能性。江崎二极管为双端子有源器件。其主要参数有峰谷电流比（ip／pv），其中，下标"p"代表"峰"；而下标"v"代表"谷"。江崎二极管可以被应用于低噪声高频放大器及高频振荡器中（其工作频率可达毫米波段），也可以被应用于高速开关电路中。 14、快速关断（阶跃恢复）二极管 (step recovary diode) 它也是一种具有pn结的二极管。其结构上的特点是：在pn结边界处具有陡峭的杂质分布区，从而形成"自助电场"。由于pn结在正向偏压下，以少数载流子导电，并在pn结附近具有电荷存贮效应，使其反向电流需要经历一个"存贮时间"后才能降至最小值（反向饱和电流值）。阶跃恢复二极管的"自助电场"缩短了存贮时间，使反向电流快速截止，并产生丰富的谐波分量。利用这些谐波分量可设计出梳状频谱发生电路。快速关断（阶跃恢复）二极管用于脉冲和高次谐波电路中。 15、肖特基二极管 （schottky barrier diode） 二极管电路它是具有肖特基特性的"金属半导体结"的二极管。其正向起始电压较低。其金属层除材料外，还可以采用金、钼、镍、钛等材料。其半导体材料采用硅或**，多为n型半导体。这种器件是由多数载流子导电的，所以，其反向饱和电流较以少数载流子导电的pn结大得多。由于肖特基二极管中少数载流子的存贮效应甚微，所以其频率响仅为rc时间常数限制，因而，它是高频和快速开关的理想器件。其工作频率可达100ghz。并且，m**（金属－绝缘体－半导体）肖特基二极管可以用来制作太阳能电池或发光二极管。 16、阻尼二极管 具有较高的反向工作电压和峰值电流，正向压降小，高频高压整流二极管，用在电视机行扫描电路作阻尼和升压整流用。 17、瞬变电压抑制二极管 tvp管，对电路进行快速过压保护，分双极型和单极型两种，按峰值功率（500w－5000w）和电压（8.2v～200v）分类。 18、双基极二极管（单结晶体管） 两个基极，一个发射极的三端负阻器件，用于张驰振荡电路，定时电压读出电路中，它具有频率易调、温度稳定性好等优点。 19、发光二极管 用磷化镓、磷**材料制成，体积小，正向驱动发光。工作电压低，工作电流小，发光均匀、寿命长、可发红、黄、绿单色光。 20.、硅功率开关二极管 硅功率开关二极管具有高速导通与截止的能力。它主要用于大功率开关或稳压电路、直流变换器、高速电机调速及在驱动电路中作高频整流及续流箝拉,具有恢复特性软、过载能力强的优点、广泛用于计算机、雷达电源、步进电机调速等方面。 21、旋转二极管 主要用于无刷电机励磁、也可作普通整流用。编辑本段根据特性分类 点接触型二极管，按正向和反向特性分类如下。 1、一般用点接触型二极管 这种二极管正如标题所说的那样，通常被使用于检波和整流电路中，是正向和反向特性既不特别好，也不特别坏的中间产品。如：sd34、sd46、1n34a等等属于这一类。 2、高反向耐压点接触型二极管 是最大峰值反向电压和最大直流反向电压很高的产品。使用于高压电路的检波和整流。这种型号的二极管一般正向特性不太好或一般。在点接触型锗二极管中，有sd38、1n38a、oa81等等。这种锗材料二极管，其耐压受到限制。要求更高时有硅合金和扩散型。 3、高反向电阻点接触型二极管 正向电压特性和一般用二极管相同。虽然其反方向耐压也是特别地高，但反向电流小，因此其特长是反向电阻高。使用于高输入电阻的电路和高阻负荷电阻的电路中，就锗材料高反向电阻型二极管而言，sd54、1n54a等等属于这类二极管。 4、高传导点接触型二极管 它与高反向电阻型相反。其反向特性尽管很差，但使正向电阻变得足够小。对高传导点接触型二极管而言，有sd56、1n56a等等。对高传导键型二极管而言，能够得到更优良的特性。这类二极管，在负荷电阻特别低的情况下，整流效率较高。编辑本段二极管的导电特性 二极管最重要的特性就是单方向导电性。在电路中，电流只能从二极管的正极流入，负极流出。下面通过简单的实验说明二极管的正向特性和反向特性。正向特性 在电子电路中，将二极管的正极接在高电位端，负极接在低电位端，二极管就会导通，这种连接方式，称为正向偏置。必须说明，当加在二极管两端的正向电压很小时，二极管仍然不能导通，流过二极管的正向电流十分微弱。只有当正向电压达到某一数值（这一数值称为“门坎电压”，又称“死区电压”，锗管约为0.1v，硅管约为0.5v）以后，二极管才能直正导通。导通后二极管两端的电压基本上保持不变（锗管约为0.3v，硅管约为0.7v），称为二极管的“正向压降”。反向特性 在电子电路中，二极管的正极接在低电位端，负极接在高电位端，此时二极管中几乎没有电流流过，此时二极管处于截止状态，这种连接方式，称为反向偏置。二极管处于反向偏置时，仍然会有微弱的反向电流流过二极管，称为漏电流。当二极管两端的反向电压增大到某一数值，反向电流会急剧增大，二极管将失去单方向导电特性，这种状态称为二极管的击穿。编辑本段二极管的主要参数 用来表示二极管的性能好坏和适用范围的技术指标，称为二极管的参数。不同类型的二极管有不同的特性参数。对初学者而言，必须了解以下几个主要参数： 1、最大整流电流 是指二极管长期连续工作时允许通过的最大正向电流值，其值与pn结面积及外部散热条件等有关。因为电流通过管子时会使管芯发热，温度上升，温度超过容许限度（硅管为141左右，锗管为90左右）时，就会使管芯过热而损坏。所以在规定散热条件下，二极管使用中不要超过二极管最大整流电流值。例如，常用的in4001－4007型锗二极管的额定正向工作电流为1a。 2、最高反向工作电压 加在二极管两端的反向电压高到一定值时，会将管子击穿，失去单向导电能力。为了保证使用安全，规定了最高反向工作电压值。例如，in4001二极管反向耐压为50v，in4007反向耐压为1000v。 3、反向电流 反向电流是指二极管在规定的温度和最高反向电压作用下，流过二极管的反向电流。反向电流越小，管子的单方向导电性能越好。值得注意的是反向电流与温度有着密切的关系，大约温度每升高10℃，反向电流增大一倍。例如2ap1型锗二极管，在25℃时反向电流若为250ua，温度升高到35℃，反向电流将上升到500ua，依此类推，在75℃时，它的反向电流已达8ma，不仅失去了单方向导电特性，还会使管子过热而损坏。又如，2cp10型硅二极管，25℃时反向电流仅为5ua，温度升高到75℃时，反向电流也不过160ua。故硅二极管比锗二极管在高温下具有较好的稳定性。 4.动态电阻rd 二极管特性曲线静态工作点q附近电压的变化与相应电流的变化量之比。编辑本段半导体二极管参数符号及其意义 ct---势垒电容 cj---结（极间）电容， 表示在二极管两端加规定偏压下，锗检波二极管的总电容 cjv---偏压结电容 co---零偏压电容 cjo---零偏压结电容 cjo/cjn---结电容变化 cs---管壳电容或封装电容 ct---总电容 ctv---电压温度系数。在测试电流下，稳定电压的相对变化与环境温度的绝对变化之比 ctc---电容温度系数 cvn---标称电容 if---正向直流电流（正向测试电流）。锗检波二极管在规定的正向电压vf下，通过极间的电流；硅整流管、硅堆在规定的使用条件下，在正弦**中允许连续通过的最大工作电流（平均值），硅开关二极管在额定功率下允许通过的最大正向直流电流；测稳压二极管正向电参数时给定的电流 if（**）---正向平均电流 ifm（im）---正向峰值电流（正向最大电流）。在额定功率下，允许通过二极管的最大正向脉冲电流。发光二极管极限电流。 ih---恒定电流、维持电流。 ii--- 发光二极管起辉电流 ifrm---正向重复峰值电流 ifsm---正向不重复峰值电流（浪涌电流） io---整流电流。在特定线路中规定频率和规定电压条件下所通过的工作电流 if(ov)---正向过载电流 il---光电流或稳流二极管极限电流 id---暗电流 ib2---单结晶体管中的基极调制电流 iem---发射极峰值电流 ieb10---双基极单结晶体管中发射极与第一基极间反向电流 ieb20---双基极单结晶体管中发射极向电流 icm---最大输出平均电流 ifmp---正向脉冲电流 ip---峰点电流 iv---谷点电流 igt---晶闸管控制极触发电流 igd---晶闸管控制极不触发电流 igfm---控制极正向峰值电流 ir（**）---反向平均电流 ir（in）---反向直流电流（反向漏电流）。在测反向特性时，给定的反向电流；硅堆在正弦**电阻性负载电路中，加反向电压规定值时，所通过的电流；硅开关二极管两端加反向工作电压vr时所通过的电流；稳压二极管在反向电压下，产生的漏电流；整流管在正弦**最高反向工作电压下的漏电流。 irm---反向峰值电流 irr---晶闸管反向重复平均电流 idr---晶闸管断态平均重复电流 irrm---反向重复峰值电流 irsm---反向不重复峰值电流（反向浪涌电流） irp---反向恢复电流 iz---稳定电压电流（反向测试电流）。测试反向电参数时，给定的反向电流 izk---稳压管膝点电流 iom---最大正向（整流）电流。在规定条件下，能承受的正向最大瞬时电流；在电阻性负荷的正弦**整流电路中允许连续通过锗检波二极管的最大工作电流 izsm---稳压二极管浪涌电流 izm---最大稳压电流。在最大耗散功率下稳压二极管允许通过的电流 if---正向总瞬时电流 ir---反向总瞬时电流 ir---反向恢复电流 iop---工作电流 **---稳流二极管稳定电流 f---频率 n---电容变化指数；电容比 q---优值（品质因素） δvz---稳压管电压漂移 di/dt---通态电流临界上升率 dv/dt---通态电压临界上升率 pb---承受脉冲烧毁功率 pft（**）---正向导通平均耗散功率 pftm---正向峰值耗散功率 pft---正向导通总瞬时耗散功率 pd---耗散功率 pg---门极平均功率 pgm---门极峰值功率 pc---控制极平均功率或集电极耗散功率 pi---输入功率 pk---最大开关功率 pm---额定功率。硅二极管结温不高于150度所能承受的最大功率 pmp---最大漏过脉冲功率 pms---最大承受脉冲功率 po---输出功率 pr---反向浪涌功率 ptot---总耗散功率 pomax---最大输出功率 psc---连续输出功率 psm---不重复浪涌功率 pzm---最大耗散功率。在给定使用条件下，稳压二极管允许承受的最大功率 rf（r）---正向微分电阻。在正向导通时，电流随电压指数的增加，呈现明显的非线性特性。在某一正向电压下，电压增加微小量△v，正向电流相应增加△i，则△v/△i称微分电阻 rbb---双基极晶体管的基极间电阻 re---射频电阻 rl---负载电阻 rs(rs)----串联电阻 rth----热阻 r(th)ja----结到环境的热阻 rz(ru)---动态电阻 r(th)jc---结到壳的热阻 r δ---衰减电阻 r(th)---瞬态电阻 ta---环境温度 tc---壳温 td---延迟时间 tf---下降时间 tfr---正向恢复时间 tg---电路换向关断时间 tgt---门极控制极开通时间 tj---结温 tjm---最高结温 ton---开通时间 toff---关断时间 tr---上升时间 trr---反向恢复时间 ts---存储时间 tstg---温度补偿二极管的贮成温度 a---温度系数 λp---发光峰值波长 △ λ---光谱半宽度 η---单结晶体管分压比或效率 vb---反向峰值击穿电压 vc---整流输入电压 vb2b1---基极间电压 vbe10---发射极与第一基极反向电压 veb---饱和压降 vfm---最大正向压降（正向峰值电压） vf---正向压降（正向直流电压） △vf---正向压降差 vdrm---断态重复峰值电压 vgt---门极触发电压 vgd---门极不触发电压 vgfm---门极正向峰值电压 vgrm---门极反向峰值电压 vf（**）---正向平均电压 vo---交流输入电压 vom---最大输出平均电压 vop---工作电压 vn---中心电压 vp---峰点电压 vr---反向工作电压（反向直流电压） vrm---反向峰值电压（最高测试电压） v（br）---击穿电压 vth---阀电压（门限电压、死区电压） vrrm---反向重复峰值电压（反向浪涌电压） vrwm---反向工作峰值电压 v v---谷点电压 vz---稳定电压 △vz---稳压范围电压增量 vs---通向电压（信号电压）或稳流管稳定电流电压 **---电压温度系数 vk---膝点电压（稳流二极管） vl ---极限电压编辑本段二极管的识别 小功率二极管的n极（负极），在二极管外表大多采用一种色圈标出来，有些二极管也用二极管专用符号来表示p极（正极）或n极（负极）,也有采用符号标志为“p”、“n”来确定二极管极性的。发光二极管的正负极可从引脚长短来识别，长脚为正，短脚为负。用数字式万用表去测二极管时，红表笔接二极管的正极，黑表笔接二极管的负极，此时测得的阻值才是二极管的正向导通阻值，这与指针式万用表的表笔接法刚好相反。 半导体是一种具有特殊性质的物质，它不像导体一样能够完全导电，又不像绝缘体那样不能导电，它介于两者之间，所以称为半导体。半导体最重要的两种元素是硅（读“gui”）和锗（读“zhe”）。我们常听说的美国硅谷，就是因为起先那里有好多家半导体厂商。 . 二极管应该算是半导体器件家族中的元老了。很久以前，人们热衷于装配一种矿石收音机来收听无线电广播，这种矿石后来就被做成了晶体二极管。编辑本段led发光二极管如何分类 1.按发光管发光颜色分 按发光管发光颜色分，可分成红色、橙色、绿色（又细分黄绿、标准绿和纯绿）、蓝光等。另外，有的发光二极管中包含二种或三种颜色的芯片。根据发光二极管出光处掺或不掺散射剂、有色还是无色，上述各种颜色的发光二极管还可分成有色透明、无色透明、有色散射和无色散射四种类型。散射型发光二极管和达于做指示灯用。 2.按发光管出光面特征分 按发光管出光面特征分圆灯、方灯、矩形、面发光管、侧向管、表面安装用微型管等。 圆形灯按直径分为φ2mm、φ4.4mm、φ5mm、φ8mm、φ10mm及φ20mm等。国外通常把φ3mm的?发光二极管记作t-1;把 φ5mm的记作t-1（3/4）；把φ4.4mm的记作t-1（1/4）。由半值角大小可以估计圆形发光强度角分布情况。从发光强度角分布图来分有三类： （1）高指向性。一般为尖头环氧封装，或是带金属反射腔封装，且不加散射剂。半值角为5°~20°或更小，具有很高的指向性，可作局部照明光源用，或与光检出器联用以组成自动检测系统。 （2）标准型。通常作指示灯用，其半值角为20°~45°。 （3）散射型。这是视角较大的指示灯，半值角为45°~90°或更大，散射剂的量较大。编辑本段二极管型号命名方法 二极管的型号命名规定由五个部分组成 型号命名编辑本段二极管和半导体的关系 二极管的正负二个端子。正端a称为阳极,负端k 称为阴极。电流只能从阳极向阴极方向移动。一些初学者容易产生这样一种错误认识：“半导体的一‘半’是一半的‘半’；而二极管也是只有一‘半’电流流动(这是错误的)，所有二极管就是半导体 ”。其实二极管与半导体是完全不同的东西。我们只能说二极管是由半导体组成的器件。半导体无论那个方向都能流动电流。编辑本段测试二极管的好坏 初学者在业余条件下可以使用万用表测试二极管性能的好坏。测试前先把万用表的转换开关拨到欧姆档的rx10档位（注意不要使用rx1档，以免电流过大烧坏二极管），再将红、黑两根表笔短路，进行欧姆调零。正向特性测试 把万用表的黑表笔（表内正极）搭触二极管的正极，红表笔（表内负极）搭触二极管的负极。若表针不摆到0值而是停在标度盘的中间，这时的阻值就是二极管的正向电阻，一般正向电阻越小越好。若正向电阻为0值，说明管芯短路损坏，若正向电阻接近无穷大值，说明管芯断路。短路和断路的管子都不能使用。反向特性测试 把万用表的红表笔搭触二极管的正极，黑表笔搭触二极管的负极，若表针指在无穷大值或接近无穷大值，二极管就是合格的。 采纳吧~~~~~~~~~~！！！！！！！！！ 20210311