3d nand闪存是一种新兴的闪存类型,通过把内存颗粒堆叠在一起来解决2d或者平面nand闪存带来的限制。 平面结构的nand闪存已接近其实际扩展极限,给半导体存储器行业带来严峻挑战。新的3d nand技术,垂直堆叠了多层数据存储单元,具备卓越的精度。基于该技术,可打造出存储容量比同类nand技术高达三倍的存储设备。该技术可支持在更小的空间内容纳更高存储容量,进而带来很大的成本节约、能耗降低,以及...
3d nand闪存是一种新兴的闪存类型,通过把内存颗粒堆叠在一起来解决2d或者平面nand闪存带来的限制。不同于将存储芯片放置在单面,英特尔和镁光研究出了一种将它们堆叠最高32层的方法。这样一来,单个mlc闪存芯片上可以增加最高32gb的存储空间,而单个tlc闪存芯片可增加48gb。目前市面上所有搭载3d闪存的产品,闪存堆栈层数最高为48层,mlc类型的容量可达128gb,tlc类型的容量可达25...