cmos晶振是什么

丫蛋 2024-11-17 22:20:47

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晶振输出波形有很多种，coms是方波输出的一种，以下是具体每种波形的区别，供参考：(lv)ttl、(h）cmos、(p)ecl、lvds、(clipped)sine w**e几种波形的主要区别是什么？这几种波形都是目前行业常用的波形。通常，方波输出功率大，驱动能力强，但谐波分量丰富；正弦波输出功率不如方波，但其谐波分量小很多。ttl（trans**tor-trans**tor logic：）vcc：5v；voh>=2.4v；vol<=0.5v；vih>=2v；vil<=0.8v。因为2.4v与5v之间有很大空闲，对改善噪声容限没好处，会增大系统功耗，并影响速度，所以后来出现lvttl(low voltage ttl)。在晶振产品中，lvttl分为3.3v、2.5v，其中以3.3v为主。3.3v lvttl：vcc：3.3v；voh>=2.4v；vol<=0.4v；vih>=2v；vil<=0.8v。2.5v lvttl：vcc：2.5v；voh>=2.0v；vol<=0.2v；vih>=1.7v；vil<=0.7v。使用ttl电平时输出过冲会比较严重。cmosvcc：5v；voh>=4.45v；vol<=0.5v；vih>=3.5v；vil<=1.5v。注：cmos相对ttl有了更大的噪声容限，输入阻抗远大于ttl输入阻抗。对应3.3v lvttl，出现了lvcmos，可以与3.3v的lvttl直接相互驱动。3.3v lvcmovcc：3.3v；voh>=3.2v；vol<=0.1v；vih>=2.0v；vil<=0.7v。2.5v lvcmosvcc：2.5v；voh>=2v；vol<=0.1v；vih>=1.7v；vil<=0.7v。 cmos使用时应注意：cmos结构内部寄生有可控硅结构，当输入或输入管脚高于vcc一定值时，电流足够大的话，可能引起闩锁效应，导致芯片的烧毁。hcmoshcmos-全静态设计、高速互补金属氧化物半导体工艺，cmos-互补金属氧化物半导体。cmos将被hcmos所替代。ecl（emitter couple logic）：ecl电路的特点：基本门电路工作在非饱和状态，ecl电路具有相当高的速度，平均延迟时间可达几个毫微秒甚至亚毫微秒数量级。ecl电路的逻辑摆幅较小（仅约 0.8v ，而 ttl 的逻辑摆幅约为 2.0v ），当电路从一种状态过渡到另一种状态时，对寄生电容的充放电时间将减少，这是 ecl电路具有高开关速度的重要原因。但逻辑摆幅小，对抗干扰能力不利。ecl电路具有很高的输入阻抗和低的输出阻抗。vcc=0v；vee：-5.2v；voh=-0.88v；vol=-1.72v；vih=-1.24v；vil=-1.36v。 ecl电路速度快，驱动能力强，噪声小，很容易达到几百mhz的应用，但是功耗大，需要负电源。为简化电源，出现了pecl(ecl结构，改用正电压供电)和lvpecl。 pecl (pseudo/positive ecl)vcc=5v；voh=4.12v；vol=3.28v；vih=3.78v；vil=3.64v lvpecl：vcc=3.3v；voh=2.42v；vol=1.58v；vih=2.06v；vil=1.94v ecl、pecl、lvpecl使用注意：不同电平不能直接驱动。中间可用交流耦合、电阻网络或专用芯片进行转换。以上三种均为射随输出结构，必须有电阻拉到一个直流偏置电压。(如多用于时钟的lvpecl：直流匹配时用130欧上拉，同时用82欧下拉；交流匹配时用82欧上拉，同时用130欧下拉。但两种方式工作后直流电平都在1.95v左右。)lvds（low voltage differential signal）差分对输入输出，内部有一个恒流源3.5-4ma，在差分线上改变方向和1来表示0。通过外部的100欧匹配电阻(并在差分线上靠近接收端)转换为±350mv的差分电平。lvds使用注意：可以达到600mhz以上，pcb要求较高，差分线要求严格等长，差最好不超过10mil(0.25mm)。100欧电阻离接收端距离不能超过500mil，最好控制在300mil以内。lvds的应用模式可以有四种形式可以：单向点对点（point?to?point）。双向点对点（point?to?point）能通过一对双绞线实现双向的半双工通信。多分支形式(multidrop)，即一个驱动器连接多个**。当有相同的数据要传给多个负载时，可以采用这种应用形式。多点结构（multipoint）。此时多点总线支持多个驱动器，也可以采用blvds驱动器。它可以提供双向的半双工通信，但是在任一时刻，只能有一个驱动器工作。因而发送的优先权和总线的仲裁协议都需要依据不同的应用场合，选用不同的软件协议和硬件方案。 sine w**e:通常晶振正弦波输出的负载阻抗为50欧姆，衡量正弦波的主要指标为功率、vp-p值，其对应关系如下：vrms = vp-p / (2) （此处括号改为根号）电平level（dbm） = 20 lg (vp-p/( ) z为阻抗，如50欧姆 “z” indicates impedance,eg. 50ω电平/level（dbm）=10lgmw 如下为常用数据列表（负载阻抗为50欧姆）dbm vp-p mw0 0.64 1.03 0.91 2.05 1.13 3.27 1.41 5.010 2.01 1013 2.83 20clipped sine w**e: 削顶正弦波(clipped sine w**e)相比方波的谐波分量少很多，但驱动能力较弱，在负载10k//10pf时vp-p为0.8vmin。通常为smd 7050、5032、3225使用的波形。 20210311

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