cvd法制备石墨烯

曹小闹 2024-11-05 23:33:04
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题目:cvd法制备石墨烯及其进展目录1.石墨烯1.1石墨烯简介2.石墨烯的制备方法2.1物理方法制备石墨烯2.1.1机械剥离法2.1.2取向附生法—晶膜生长2.1.3液相和气相直接剥离法2.2化学法制备石墨烯2.2.1化学气相沉积法2.2.2外延生长法2.2.3氧化石墨还原法3.化学气相沉淀法制备石墨烯3.1碳源3.2生长基体3.3生长条件4.不同基体时制备特点4.1以镍为基体4.2以铜为基体5.讨论6.总结与展望参考文献摘要:石墨烯作为一种近年来发现的新材料,拥有许多独特的理化性质,在多个领域具有很大的应用潜力,成为了目前研究的热点。在多种制备石墨烯的方法中,化学气相沉积(chemicalvapordeposition,cvd)法所制备的石墨烯具有面积大、质量高、均匀性好、层数可控等优点,被广泛采用。一般可采用镍,铁,铜,铂等过渡金属作为生长衬底,目前,研究中多采用铜衬底,这是由于其相对比较经济且所生长的石墨烯质量较好。但是如何利用化学气相沉积(cvd)在金属镍(ni)和铜(cu)衬底上实现高质量大面积石墨烯的可控生长还存在很大的难度。本文将重点介绍化学气相沉淀法制备石墨烯。关键词:化学气相沉淀法,石墨烯1.石墨烯1.1石墨烯简介石墨烯是一种二维晶体,人们常见的石墨是由一层层以蜂窝状有序排列的平面碳原子堆叠而形成的,石墨的层间作用力较弱,很容易互相剥形成薄薄的石墨片。当把石墨片剥成单层之后,这种只有一个碳原子厚度的单层就是石墨烯。石墨烯是一种二维晶体,由碳原子按 20210311
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