sem二次电子成像和背散射电子成像

魏然 2024-11-28 17:55:44
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扫描电镜二次电子及背散射电子成像技术扫描电镜成像主要是利用样品表面的微区特征,如形貌、原子序数、化学成分、晶体结构或位向等差异,在电子束作用下产生不同强度的物理信号,使阴极射线管荧光屏上不同的区域呈现出不同的亮度,从而获得具有一定衬度的图像,常用的包括主要由二次电子(se,secondary electron)信号所形成的形貌衬度像和由背散射电子(bse, backscattered electron)信号所形成的原子序数衬度像。1. 二次电子(se)像—形貌衬度二次电子是被入射电子轰击出的原子的核外电子,其主要特点是:(1)能量小于 50ev ,在固体样品中的平均自由程只有10~100nm,在这样浅的表层里,入射电子与样品原子只发出有限次数的散射,因此基本上未向侧向扩散;(2)二次电子的产额强烈于入射束与试样表面法线间的夹角a , a大的面发射的二次电子多,反之则少。根据上述特点,二次电子像主要是反映样品表面10 nm左右的形貌特征,像的衬度是形貌衬度,衬度的形成主要取于样品表面相对于入射电子束的倾角。如果样品表面光滑平整(无形貌特征),则不形成衬度;而对于表面有一定形貌的样品,其形貌可看成由许多不同倾斜程度的面构成的凸尖、台阶、凹坑等细节组成,这些细节的不同部位发射的二次电子数不同,从而产生衬度。二次电子像分辨率高、无明显阴影效应、场深大、立体感强,是扫描电镜的主要成像方式,特别适用于粗糙样品表面的形貌观察,在材料及生命科学等领域有着 20210311
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