光刻和刻蚀有什么区别?

范范 2024-12-22 22:44:03
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这两个词是半导体工艺中的重要步骤,需要配合剖面图讲解,最好自己找本半导体工艺的书看。“光刻”是指在涂满光刻胶的晶圆(或者叫硅片)上盖上事先做好的光刻板,然后用紫外线隔着光刻板对晶圆进行一定时间的照射。原理就是利用紫外线使部分光刻胶变质,易于腐蚀。“刻蚀”是光刻后,用腐蚀液将变质的那部分光刻胶腐蚀掉(正胶),晶圆表面就显出半导体器件及其连接的图形。然后用另一种腐蚀液对晶圆腐蚀,形成半导体器件及其电路。建有流水线的商家有,海力士,华润等等。有兴趣可以网上的半导体技术交流论坛看看。 20210311
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